В МФТИ придумали технологию для памяти ReRAM

Фото: ТАСС/Руслан Шамуков

Ученые из Центра коллективного пользования МФТИ разработали технологию для создания "универсальной" памяти, сообщает пресс-служба института.

Речь идет о разрабатываемой памяти на основе резистентного переключения ReRAM (сопротивление меняется под действием напряжения, а его высокое и низкое значения могут быть использованы для хранения информации). Она совмещает быстроту оперативной памяти и энергонезависимость флеш-накопителя, но для нее требуется управлять концентрацией кислорода в используемых оксидах металлов.

Поясним: основа ReRAM-ячейки – связка металл-диэлектрик-металл, причем в качестве диэлектрического слоя используются оксиды переходных металлов. Приложенное к ячейке напряжение вызывает миграцию кислорода, что меняет сопротивление всей структуры. Таким образом управление концентрацией кислорода в оксиде металла определяет функциональные свойства ячеек памяти.

Ранее при разработке использовался метод создания пленок оксидов с дефицитом кислорода, но он не подходит для нанесения слоев на трехмерные структуры.

В МФТИ же усовершенствовали процесс производства: там научились регулировать количество кислорода в пленках оксида тантала методом атомно-слоевого осаждения, так что они покрывают все структуры, в том числе и трехмерные, однородно и практически безошибочно (погрешность составляет долю нанометра). 

Пока широко распространены флеш-накопители. В них используются трехмерные массивы ячеек, благодаря чему можно значительно увеличить плотность ячеек на чипе. Это обеспечивает всем носителям большой объем памяти, компактность, высокую скорость работы и доступность.

Актуально по теме